GB 11297.7-1989 锑化铟单晶电阻率及霍耳系数的测试方法
作者:标准资料网 时间:2024-05-20 23:32:20 浏览:8943
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基本信息
| 标准名称： | 锑化铟单晶电阻率及霍耳系数的测试方法 |
| 英文名称： | Test method for resistivity and Hall coefficient in InSb single crystals |
| 中标分类： | 电子元器件与信息技术 >> 电子设备专用材料、零件、结构件 >> 电子技术专用材料 |
| ICS分类： | |
| 发布部门： | 中华人民共和国机械电子工业部 |
| 发布日期： | 1988-10-09 |
| 实施日期： | 1990-01-01 |
| 首发日期： | 1989-03-31 |
| 作废日期： | 1900-01-01 |
| 主管部门： | 国家标准化管理委员会 |
| 归口单位： | 全国半导体材料和设备标准化技术委员会 |
| 起草单位： | 航天工业部8358研究所和机械电子工业部第十一研究所 |
| 起草人： | 徐向东、尹洁 |
| 出版社： | 中国标准出版社 |
| 出版日期： | 1900-01-01 |
| 页数： | 23页 |
适用范围
本方法适用于长方体和薄片锑化甸单晶样品的电阻率和堆耳系数的测量。
前言
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目录
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引用标准
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所属分类： 电子元器件与信息技术 电子设备专用材料 零件 结构件 电子技术专用材料
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